形成氨逃逸以及氨逃逸濃度高的原因？

    形成氨逃逸以及氨逃逸濃度高的原因？

    氨逃逸是影響SCR系統運行的一項重要參數，實際生產過程中通常是多于理論量的氨到達反應器，反應后在煙氣下游多余的氨稱為氨逃逸，氨逃逸是通過單位體積內氨含量來表示的。為了達到環保要求，往往需要一定過量的氨，所以也對應著會有一個合適的氨逃逸值，該值設計為不大于5ppm，但是實際運行中往往偏大，主要有以下因素：

    （1）每只氨噴槍噴氨流量分布不均。煙氣中存在氨水局部分布不均，煙氣流速不均勻，各噴槍出口的噴氨量差異較大，濃度高的地方氨逃逸相對高一些。
    （2）煙氣溫度。反應溫度過低，NOx與氨的反應速率降低，會造成NH?的大量逃逸，但是，反應溫度過高，氨又會額外生成NO，所以，NH?存在最佳的反應溫度，在SNCR氨的最佳反應溫度800-1100℃。
    （3）催化劑堵塞，脫硝效率下降，為了保持環保參數不超標，會噴更多的氨，這將引起惡性循環，催化劑局部堵塞、性能老化，導致催化劑各處催化效率不同，為了控制出口參數，只能增加噴氨量，從而導致局部氨逃逸升高。
    （4）霧化風量偏小。噴槍霧化不好，氨水與煙氣不能充分混合，將產生大量的氨逃逸。
    （5）氨水濃度。氨水濃度高低無法受控，基本上氨水濃度高，氨水調閥開度過小，霧化不好易自關，導致氨逃逸高，操作難度大。

    山東新澤儀器有限公司生產的TK-1100型氨逃逸在線監測系統采用高溫伴熱抽取技術+TDLAS技術(可調諧半導體激光光譜吸收技術），對脫硝過程中的逃逸氨進行連續在線監測，主要應用于眾多工業領域氣體排放監測和過程控制，如燃煤發電廠、鋁廠、鋼鐵廠、冶煉廠、垃圾發電站、水泥廠和化工廠、玻璃廠等。

    產品特點：

    1.先進的可調諧半導體激光光譜吸收技術；
    2.可靠的長光程加熱氣室設計，光程可達760mm；
    3.超低濃度測量，分辨率可達0.1ppm；
    4.半導體激光的譜寬小于0.001nm，避免粉塵和水分交叉干擾；
    5.設備維護簡單，使用成本低。